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理化所亞硒酸鹽非線性光學资料找寻博得瘠薄舒

文章来源:阿峰 时间:2019-02-27

  理化所亞硒酸鹽非線性光學材料探索取得瘠薄舒暢新進展

 

  非線性光學晶體是一類重要的光電功用晶體。它通過倍頻、和頻、差頻、光參量缩小和多光子汲取等非線性過程能够對激光進行調制和操縱。這類晶體被廣泛應用於激光頻率轉換、四波混頻、光束轉向、圖像缩小、光信息處理、光存儲、光纖通訊、水下通訊等研讨領域。

  亞硒酸鹽化合物因含有活性孤對電子的Se4+,在外光電場作用下轻易誘導出強的極化,從而產生大的非線性光學效應,因此在二階非線性光學原料探究中有著重要的研讨價值。長期以來,增強亞硒酸鹽非線性光學原料的非線性光學效應次要是通過引入具有二階薑-泰勒效應的d0過渡金屬陽離子(如Ti4+,Nb5+,V5+,Mo6+等)等手腕來實現的。但是,缺憾是當引入d0過渡金屬陽離子增強光學效應的同時,通常會顯著地減小原料的帶隙值,並伴隨著較差的抗激光損傷功能。

  近日,理化技術研讨所晶體中心林哲帥研讨組在亞硒酸鹽原料體系全新力獅長寬高辨別為4807/1840/1500mm,軸距為2750mm,比上一代車型的4745/1820/1575mm,軸距2745mm,數據方面轉變顯著中,提出異價取代調控能帶結構的分子設計战略,發現並分解瞭一例在可相位婚配的亞硒酸鹽非線性光學原料中具有最寬帶隙的新型原料Pb2GaF2(SeO3)2Cl整合後構成的范圍效應和協同效應將逐漸改善其當前產品的盈利才能和收益狀況。通過移除過渡金屬、引入主族元素和高電負性的氟元素,Pb2GaF2(SeO3)2Cl的帶隙擴寬至4.32 eV,且抗激光損傷閾值是現有同構原料的三倍,进步至120 MW/cm2。此外,Pb2GaF2(SeO3)2Cl還表現出瞭較強的非線性光學響應,其倍頻信號強度是同等粒徑下KDP樣品的4.5倍,在未來的高功率激光倍頻領域有潛在的應用價值。此任务以Pb2GaF2(SeO3)2Cl: Band engineering strategy by aliovalent substitution for enlarging bandgap while keeping strong second harmonic generation response 為題發表在美國化學會期刊J. Am. Chem. Soc. (DOI:10.1021/jacs.8b11485)上,並被遴選為當期封面文章。

  論文第一作者為理化所2014級直博生尤豐光和梁飛,通訊作者為林哲帥和胡章貴 。罕睹的复古阿斯顿会让你有所回报

  該研讨任务失掉國傢自然科學基金委、中科院福建創新研讨群體以及中科院青年創新促進會的全力撑腰。

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異價取代能帶工程战略——金屬陽離子八面體的結構演化與帶隙調控

  

 

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